問題
応用情報技術者 平成28年秋期 午前問21
フラッシュメモリに関する記述として，適切なものはどれか。
- 高速に書換えができ，CPUのキャッシュメモリなどに用いられる。
- 紫外線で全内容の消去ができる。
- 周期的にデータの再書込みが必要である。
- ブロック単位で電気的に内容の消去ができる。
答え
ブロック単位で電気的に内容の消去ができる。
解説
フラッシュメモリ
フラッシュメモリ（英: Flash Memory）は、FETでホットエレクトロンを浮遊ゲートに注入してデータ記録を行う不揮発性メモリである。
フラッシュEEPROMやフラッシュROMとも呼ばれている。各ビットの記憶セルの基本的な構造としてはある種のEEPROMであるが、複数ビットから成るブロック内で「押し流す」ようなメカニズムと[2]、読み書き可能な単位（ブロックサイズは数キロバイトから数十キロバイト）と速度が扱いやすい程度であることが特徴である。浮遊ゲートとシリコン基板間のゲート絶縁膜が極めて薄くなっている。
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』
Static Random Access Memory
フリップフロップという順序回路を使って1ビットを表現する、高速に書換えができ，CPUのキャッシュメモリなどに用いられる。
Static RAM・SRAM（スタティックラム・エスラム）は、半導体メモリの一種である。ダイナミックRAM (DRAM) とは異なり、定期的なリフレッシュ（回復動作）が不要であり、内部構造的にフリップフロップ等の順序回路という「スタティック(静的)な回路方式により情報を記憶するもの」であることからその名がある。「データ残留現象」といった性質[1]が無いわけでもないが、基本的に電力の供給がなくなると記憶内容が失われる揮発性メモリ（volatile memory）である。
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』
Dynamic Random Access Memory
コンデンサに電荷を蓄えた状態か否かによって1ビットを表現する、主記憶として良く使われるメモリー。周期的にデータの再書込み（リフレッシュ）が必要である。速度はSRAMに劣るが、SRAMと比較すると構造が単純でビットあたりの面積が小さいのでビットあたりの単価はSRAMより安い。
Dynamic Random Access Memory（ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ、DRAM、ディーラム）は、コンピュータなどに使用される半導体メモリによるRAMの1種で、コンピュータの主記憶装置やディジタル・テレビやディジタル・カメラなど多くの情報機器の、内部での大規模な作業用記憶として用いられている。（通常のSRAMと同様に）揮発性（電源供給がなくなると記憶情報も失われる）であるばかりでなく、ICチップ中の素子に小さなキャパシタが付随すること（寄生容量）を利用した記憶素子であるため、常にリフレッシュ（記憶保持動作）を必要とするダイナミックメモリであることからその名がある。SRAMに比べ、リフレッシュのために常に電力を消費することが欠点だが、今のところ大容量を安価に提供できるという利点から、DRAMが使われ続けている。
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』
UV-EPROM
紫外線で全内容の消去ができる。
UV-EPROM（紫外線消去型EPROM ,Ultra-Violet Erasable Programmable Read Only Memory）とは紫外線を照射することで記憶内容の消去が可能なROM。
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』